据报说念，三星电子决定在2025年头引进其首台ASML High NA EUV光刻机，并与英特尔、台积电张开下代光刻时期生意化研发竞争。此前，三星电子与比利时微电子参议中心imec和谐，在imec开导的High NA EUV光刻本质室进行了对High NA光刻的初步探索。考虑到精密的High NA EUV光刻机需要一段时代用于装配和调试，该机台有望最早于来岁中旬参加研发使用。

由于三星当今半导体先进制程路子图已谋划至SF1.4节点（即2027年量产），继承High-NA 光刻的制程最早也需要比及SF1。

在先进制程代工领域，三星的主要竞争敌手英特尔已完成第二台 High NA EUV 光刻机装配，台积电的首个机台也将于本年内终了托福。此外，在存储领域，SK海力士的首台 High NA EUV 光刻机则有望2026年引入。